삼성전자가 메모리반도체 일변도에서 탈피, 비메모리 사업의 '덩치'를 키워나간다.
16일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 시스템LSI 신규투자 규모를 지난해(3천500억원)보다 3.5배 늘어난 1조2천400억원으로 확대하고 이중 70%를 LDI(LCD 구동칩) 등 주력 비메모리 제품 생산라인의 신규 건설에 집중 투자키로 했다.
삼성전자측은 "올해 기흥이나 화성에 신규로 시스템LSI 라인을 건설하는 한편 LDI 후공정 투자와 현재 메모리와 비메모리 제품이 함께 생산되는 기흥 6라인 일부를 비메모리 라인으로 전환하는데 따른 보완투자를 크게 확대할 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 또 시스템LSI의 경우 프리미엄 제품은 삼성이 직접 생산하고 일반 반도체 제품의 경우 외주 물량을 크게 늘리는 방안을 추진키로 했다.
이같은 투자확대를 통해 삼성전자는 지난 2002년부터 2년 연속 정상에 오른 LDI의 경우 올해도 시장점유율 25% 이상으로 세계 1위를 유지하고, 스마트카드IC는 현재 2위에서 내년에는 점유율 25%로 역시 글로벌 톱에 오른다는 전략이다.
이 회사 시스템LSI 관계자는 "반도체 경기가 내년 상반기까지는 호황이 계속될 것으로 보고 투자를 늘리고 있으며 특히 시스템LSI는 향후 메모리 반도체에 이은 고수익원으로서 연구개발과 신규투자 확대에 주력할 방침"이라고 말했다.
이 관계자는 "예전에는 D램이나 플래시메모리 생산라인에서 감가상각 이후 시스템LSI 생산이 이뤄졌지만 앞으로는 비메모리 육성 전략에 따라 신규 라인 투자와 메모리라인의 비메모리 전환도 계속될 것"이라고 설명했다.
한편 삼성전자의 시스템LSI 사업은 지난해 4.4분기 5천100억원의 매출을 올려 3분기 4천400억원보다 16.3% 성장했으며, 특히 LDI는 3분기보다 35%, 시스템온칩(SOC)은 24%나 매출이 늘어났다.