삼성전자가 플래시 메모리 전용 300㎜라인인 14라인을 본격 가동하고 SLC(Single Level Cell) 기술을 적용한 70나노 4Gb 낸드 플래시 메모리 양산에 돌입했다.
삼성전자는 30일 삼성전자 황창규 반도체 총괄사장, 김재욱 제조담당 사장 등 임직원 300여명이 참석한 가운데 기존 라인을 통한 70나노 4Gb 낸드 플래시 양산 출하와 함께 업계 첫 플래시 메모리 전용 300㎜ 웨이퍼 라인인 14라인 가동을 시작했다.
14라인은 300㎜ 90나노 2Gb 플래시 메모리 4천장을 시작으로 본격 가동에 돌입했으며 6월말에는 70나노 공정을 적용한 4Gb 제품을 본격 양산할 계획이다.
삼성전자가 이번에 양산하는 4Gb 플래시 메모리는 업계 처음으로 70나노 공정을 적용해 양산하는 제품으로 셀 하나에 데이터 한 개를 저장하는 SLC(Single Level Cell) 기술을 적용했다. 데이터를 저장하는 셀(Cell) 면적은 업계 최소 크기인 0.025 제곱마이크로미터에 불과한 첨단 제품이다.
삼성전자는 반도체 양산제품의 공정과 메모리 셀 면적 모두 세계 최소인 신기록을 달성해 '나노 테크놀러지'를 입증했고 플래시 메모리 분야에서 1Gb, 2Gb 제품에 이어 이번 4Gb 제품에 이르기까지 3세대 연속 세계 최초 기록을 경신했다.
4Gb 플래시 메모리를 카드로 만들면 8GB 용량의 메모리카드를 만들 수 있다. DVD급의 고화질 동영상 8시간 분량을 저장할 수 있는 용량으로 이로써 DVD영화 여러 편을 메모리카드 하나에 담아 이용하는 것이 가능하게 됐다.