삼성전자는 업계 최초로 초고속 낸드플래시 규격인 토글(Toggle) DDR(더블 데이터 레이트) 2.0을 적용한 20나노급(1나노 : 10억 분의 1m) 64Gb(기가비트) MLC(멀티레벨셀) 낸드플래시 제품을 양산한다고 12일 밝혔다.
이 제품은 데이터 처리 속도가 400Mbps로 기존 SDR(싱글 데이터 레이트) 방식의 범용 낸드플래시(40Mbps) 대비 10배, 토글 DDR 1.0 방식의 낸드플래시 제품(133Mbps)보다는 3배 빠르다.
이는 기존 제품에 비해 속도가 두 배 이상 빨라지는 USB 3.0, SATA 6Gbps 등의 차세대 인터페이스를 적용한 고성능·대용량 제품에 가장 적합한 낸드플래시 솔루션이라고 삼성전자 측은 설명했다.
삼성전자는 지난 해 토글 DDR 1.0 방식의 20나노급 32Gb MLC 낸드플래시를 업계 처음으로 양산한 데 이어 이번에 용량 2배, 속도 3배, 생산성이 50% 향상된 차세대 낸드플래시를 양산함으로써 낸드플래시 시장을 지속적으로 주도할 수 있게 됐다.
홍완훈 삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 “삼성전자는 이번 고속 낸드플래시 양산을 통해 4세대 스마트폰, 태블릿PC, 6.0Gbps SSD 등 비약적으로 성장하는 신제품 시장을 이끌 계획”이라며 “앞으로도 초고속·대용량 차세대 토글 DDR 낸드플래시 솔루션을 원활히 공급, 소비자들이 더욱 향상된 모바일 제품을 활용할 수 있도록 할 것”이라고 말했다.
