삼성전자가 반도체 라인에 약 1조원의 대규모 시설 투자를 단행키로 했다.
10일 삼성전자에 따르면 2005년 D램 시장 수요 증가에 효과적으로 대응하고 원가 경쟁력을 강화하기 위해 12인치 라인인 화성 13라인의 90나노 D램 생산능력 증설 및 차세대 80나노 공정의 신규 설비투자를 위해 6천38억원을 투자키로 했다.
삼성전자는 지난해 연말 기준으로 월 2만3천-2만5천매 수준의 13라인 생산량을 추가로 늘리는 한편 90나노 이하 비중을 지난해말 5% 수준에서 올 2.4분기까지 20%선으로 끌어올린다는 계획이다.
삼성전자는 이와 함께 기흥과 화성에 걸쳐 있는 기존 메모리 라인인 6-12라인에 3천937억원을 투자할 예정이다.
이 투자는 6-12라인의 생산량 확대를 위한 공정 업그레이드 및 시설 증설, D램 및 플래시 메모리 라인의 올해 업그레이드 공정 도입을 위한 인프라 구축에 투입될 계획이다.
삼성전자는 플래시 메모리의 경우 90나노 이하 공정 비중을 지난해 80% 수준에서 올 2분기 95%로 확대키로 했다.
이에 대해 삼성전자 관계자는 "이번 신규 투자는 D램과 플래시 메모리 부문의 원가 경쟁력 및 생산량 확충을 위한 것"이라며 "구체적인 반도체 전체 투자 규모에 대해서는 오는 14일 기업설명회(IR)에서 발표할 예정"이라고 밝혔다.