현재의 D램 보다 최고 4배이상의 기가급 동작속도와 최소의 전력 소모를 구현한 차세대 D램이 삼성전자에 의해 개발됐다.
삼성전자는 17일 DDR2 이후 차기 D램 시장을 이끌 새로운 규격의 메모리 반도체 DDR3(Double Data Rate 3) D램을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다.
특히 삼성전자는 DDR, DDR2 등 차세대 D램 제품의 개발과 표준화를 주도해 온 데 이어 이번에 DDR3 D램까지 세계최초로 개발함으로써 3세대 연속 신규 제품의 표준화를 주도하게 됐다.
이번에 개발한 DDR3 D램은 초고속 동작을 위한 신기술이 적용돼 동작속도가 1.066Gbps로 DDR D램에 비해서는 4배, 최근 주력 제품으로 떠오르고 있는 DDR2의 2배 속도를 자랑한다.
최첨단 기술인 80나노 공정을 이용한 512Mb의 대용량으로 세계반도체표준협회(JDEC)의 DDR3 표준규격을 지원하는 최초의 D램이라고 삼성전자는 소개했다.
또 메모리 제품 가운데는 처음으로 1.5V의 저전압으로 동작해 동작전압이 1.8V인 DDR2에 비해 전력소모를 20% 가량 줄일 수 있는 초저전력 제품이라고 설명했다.
DDR3는 내년부터 양산돼 PC 및 서버의 메인 메모리에 주로 쓰일 것으로 보인다.
삼성전자는 데스크톱, 노트북, 서버 등 컴퓨터 시스템이 빠르게 고성능화되면서 올해 주력 메모리가 DDR2로 전환되고 DDR3 D램은 2006년 초기시장이 형성된 뒤 2007년 본격적인 성장기에 접어들 것으로 내다봤다.
반도체 전문 조사기관인 IDC 역시 2008년이 되면 DDR3 D램이 전체 D램 시장의 37%를 점유하며 주력 제품으로 떠오를 것으로 전망하고 있다.
삼성전자 관계자는 "DDR3 개발로 다양한 멀티미디어를 더 실감나게 즐길 수 있게 됐다"고 말하고 "현재 30% 가량인 DDR2 D램의 생산비중을 올 연말까지 50%선으로 높이고 내년 초부터는 DDR3도 양산을 시작해 시장을 선점해 나갈 것"이라고 밝혔다.