삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR2 D램 개발에 성공하고 인텔 인증을 획득, 올해 말부터 제품 양산에 들어간다고 12일 밝혔다.

삼성전자는 지난 3월 60나노급 1기가비트 DDR2 D램을 세계 최초로 양산하고, 이에 앞서 양산해온 512메가비트 D램을 포함해 이번 2기가비트 제품까지 확보하게 됨으로써 연말 DDR2 D램 전(全)제품에 대해 60나노급 제품으로 양산 전환을 끝내는 유일한 업체로 자리매김하게 됐다.

이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 2004년 개발한 80나노 2기가 D램의 최대 속도인 667Mbps(초당 667메가비트 데이터 처리) 대비 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps 구현이 가능하고, 생산성도 40% 이상 올라간다고 삼성전자는 설명했다.

또한 8기가바이트(GB) 서버용 모듈(FBDIMM, RDIMM)과 워크스테이션, 데스크탑 PC, 노트북 PC 등에 탑재되는 4기가바이트 모듈(UDIMM, SODIMM) 등 기존 대비 메모리 용량을 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공해 메모리 용량 확대를 가속화시킬 것으로 삼성전자는 예상했다.

삼성전자는 이와 함께 기존에 1기가 D램 36개로 구성된 4기가바이트 D램 모듈을 2기가 18개로 대체할 수 있기 때문에 1기가 D램으로 구성된 모듈 대비 30% 이상 전력을 절감할 수 있고, 이에 따라 시스템 작동시 발열량을 줄이고 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다고 덧붙였다.

삼성전자는 60나노급 1기가 DDR2 D램을 필두로 올해 하반기부터 D램 시장 주요 제품을 기존 512메가에서 1기가로 전환을 주도하고 있고, 이번 60나노급 2기가 D램처럼 기술 경쟁력을 바탕으로 한 고용량, 고성능 고부가가치 제품을 통해 D램 시장을 주도해 나갈 계획이라고 밝혔다.