SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 ‘HBM(High Bandwidth Memory)3’를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다.

HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있으며, 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.

이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

아울러 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)가 내장 HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있도록 했다.

SK하이닉스는 지난해 7월 ‘HBM2E’ D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM 4세대에 해당되는 HBM3를 개발해냈다.

SK하이닉스 측은 “이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다”고 강조했다.

출시 용량은 16GB와 업계 최대 수준인 24GB 두 가지 용량으로 준비됐다. SK하이닉스는 24GB를 구현하기 위해 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결했다고 설명했다.

HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 것으로 예상된다.

차선용 SK하이닉스 부사장은 “세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어, 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편, ESG 경영에 부합하는 제품을 공급하여 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다”고 말했다.

[ 경기신문 = 편지수 기자 ]