하이닉스반도체는 차세대 메모리 STT램의 기술 개발 업체인 미국 그란디스(Grandis Inc.)와 ‘STT램(Spin-Transfer Torque RAM)’ 기술에 대한 라이선스 및 공동 개발 계약을 체결했다고 2일 밝혔다.

하이닉스반도체는 이번 계약으로 업계 최초로 그란디스로부터 STT램에 대한 기술 라이선스를 취득, 공동으로 연구인력을 활용한 제품개발을 추진한다.

STT램은 자기적 성질을 이용한 차세대 메모리로써 D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖춘 메모리 솔루션이다.

전력이 공급되지 않아도 정보를 보관할 수 있는 비휘발성 메모리로 무제한에 가까운 반복 기록, 재생이 가능할 뿐만 아니라 D램 이상의 고용량을 구현할 수 있는 것이 특징이다.

특히 기존 메모리 제품에 있어서의 기술적, 물리적 한계로 여겨지고 있는 40나노미터 이하에서도 집적이 가능한 것으로 알려졌다.

2012년쯤부터 본격적인 시장 형성이 될 것으로 예상되고 있으며 초기에는 모바일 어플리케이션에 사용되는 노어플래시를 대체할 수 있을 것으로 전망되고 있다.

이와관련 하이닉스반도체는 지난해 말부터 시작된 지식경제부 주관의 ‘차세대 테라비트급 비휘발성 메모리 개발’ 2단계 사업의 일환으로 지난 1월 삼성전자와도 STT램 공동개발을 추진하기로 한 바 있다.

동 사업은 국가 R&D 사업으로써 하이닉스반도체가 도입키로 한 그란디스의 기술과 동작원리는 같지만, 데이터 저장 장소를 구현하는 방식에는 차이가 있어 독립적인 별개의 개발 과제로 진행될 예정이다.