삼성전자가 반도체업계 최초로 20나노급 낸드플래시와 D램 양산을 시작했다.

또 세계 최대 규모의 메모리반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔다. 이에 따라 삼성전자는 앞선 기술력과 원가경쟁력을 확보해 가격급락을 극복할 수 있는 기반을 마련하게 됐다. 삼성전자는 22일 화성 나노시티 캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산’ 행사를 열었다고 밝혔다.

지난해 5월 착공해 1년3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 약 19만㎡ 규모의 12층 건물로 낸드플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다. 이곳에서는 20나노급 고속 낸드플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만장 이상 생산하게 된다.

삼성전자는 이와 함께 세계 최초로 20나노급 2Gb D램의 양산도 시작했다. 20나노급 DDR3 D램은 30나노급 제품보다 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다.

삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GB·8GB·16GB·32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이다.

삼성전자는 이 공장의 가동으로 반도체 선두업체로서 차별화된 경쟁력을 갖게 됐다. 또 추가적인 시장점유율 확보도 뒤따를 것으로 예상된다.

현재 반도체 가격이 지속적인 하락세를 보이고 있는 가운데 20나노급 D램 양산으로 반도체 제조원가를 낮춰 경쟁사보다 높은 원가경쟁력을 갖출 수 있기 때문이다.

이날 행사는 특히 이건희 회장이 참석해 반도체사업에 대한 강한 애착을 보여 눈길을 끌었다.

이 회장은 “반도체업계에 몰아치는 거센 파도 속에서도 세계 최초의 20나노급 D램 양산 성공을 위해 혼신의 힘을 기울인 임직원들에게 감사의 뜻을 전한다”면서 “많은 직원들의 노력으로 기술 리더십을 지킬 수 있었지만 앞으로 더욱 거세질 반도체업계발 태풍에도 대비해야 한다”고 강조했다.