삼성전자는 세계 최초로 64메가(Mb) P램(상(相)변화 메모리) 시제품 개발에 성공했다고 19일 밝혔다.
이번 64메가 P램은 지금까지 개발된 차세대 메모리 중 최대 용량 제품으로, 고집적화에 어려움을 겪어 왔 던 차세대 메모리의 한계를 극복하고 대용량을 구현한 획기적인 제품으로 평가받고 있다.
삼성전자는 P램의 고집적화를 위해 삼성 독자기술인 '화학적 확산처리 기술'을 적용, 셀(Cell) 크기를 줄이고 축소한 셀 내에서 저전력 동작이 가능토록 해 64메가라는 세계 최대용량 P램 제품을 개발했다.
그동안 주요 반도체 업체들이 차세대 메모리 P램 연구개발에 나서 왔지만 현재까지는 대부분 기술개발 단계에 머물고 있는 상황이며, 실제 P램 시제품이 개발되기는 이번이 처음이다.
이번 제품은 기존 설비로도 제조가 가능하고 제조공정도 기존 메모리 반도체에 비해 단순해 우수한 원가경쟁력을 갖추고 있다.
또한 ▲2.5V 저전압 동작 ▲쓰기속도 120ns(나노초=10억분의 1초) ▲읽기속도 60ns ▲플래시메모리 대비 1천배 이상의 내구성 ▲섭씨 85도의 고온에서도 2년 이상 데이터를 보존할 수 있는 특성 등 동작속도와 신뢰성 측면의 우수성과 차세대 메모리의 상용화 가능성을 열었다는 점에서도 큰 의미가 있다.
삼성전자는 업계 최초로 64Mb P램 시제품 개발로 차세대 메모리 시장에서도 선두 위치를 고수할 수 있게 됐다.
삼성전자는 앞으로도 차세대 메모리 분야의 연구에 지속적인 노력을 다한다는 방침아래 일부 신뢰성과 제품 특성 등을 개선시켜 2006년쯤 상용화할 계획이다.
차세대 메모리는 신소재를 사용해 D램·S램·플래시메모리의 장점인 ▲고집적 ▲초고속 ▲비휘발성을 모두 구현할 수 있는 미래형 메모리 반도체로, P램·F램(강유전 메모리)·M램(강자성 메모리) 등의 제품이 주류를 이루고 있다.
이 가운데 P램은 '게르마늄 안티몬 텔룰라이드(Ge2Sb2Te5)' 라는 상(相)변화 물질을 이용해 이 물질이 비정질 상태에서 결정질 상태로 변화될 때 1비트(bit)를 얻는 방식으로 동작하는 신개념 메모리 반도체이다.