삼성전자는 현재 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 ‘4기가바이트 HBM2 D램’(이하 HBM D램)을 본격적으로 생산한다고 19일 밝혔다.

HBM D램은 2세대 HBM규격을 만족하는 제품으로, TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용해 기존 1세대 규격보다 2배나 빠른 속도를 갖춘 점이 특징이다.

TSV 기술이란 D램 칩을 종이 두께의 절반보다 얇게 만든 후 수백 개의 미세한 구멍을 뚫은 첨단 패키징 기술이다.

삼성전자의 HBM D램은 차세대 그래픽카드와 초고성능 컴퓨팅 환경이 요구하는 ‘초절전’, ‘초슬림’까지 구현해 업계에 주목을 받고 있다.

삼성전자는 지난해 10월 ‘128기가바이트 DDR4 D램 모듈’을 생산하며 초고속 메모리 시장을 확대한 바 있다.

이번 HBM D램 생산은 초고속 메모리 시장을 확대한 지 2개월 만에 이뤄진 것으로, 새로운 D램 시장을 선점했다는 평가가 나오고 있다.

HBM D램은 현재 가장 빠른 D램보다 7배 이상 많은 데이터를 처리하는 동시에 데이터 전송량을 배로 높여 기존 기기보다 전력소모를 크게 감소시켰다.

이와 함께 삼성전자는 올해 상반기 ‘8기가바이트 HBM2 D램’을 생산할 예정이어서 차세대 초고해상도 그래픽카드에 최적의 환경을 제공할 것으로 기대된다.

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 관계자는 “차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 IT기업들이 초고성능 컴퓨팅 시스템을 도입하는 데 큰 도움을 줄 수 있게 됐다”고 말했다.

/조용현기자 cyh3187@